Память оперативная/ Samsung M321R4GA3EB2-CWMKH — цена и характеристики

Краткая информация

Артикул: M321R4GA3EB2-CWMKH

Производитель: Samsung

Производитель	Samsung

Оперативная память Samsung M321R4GA3EB2-CWMKH создана для построения высокопроизводительных отказоустойчивых серверных систем и рабочих станций. Модуль сочетает в себе передовые технологии и высочайшую надежность бренда, обеспечивая стабильную работу ресурсоемких приложений, виртуализации и баз данных под интенсивной нагрузкой.

Модуль работает на тактовой частоте 5600 МГц и относится к стандарту DDR5, что обеспечивает пропускную способность до 44800 Мб/с. Это позволяет серверным системам мгновенно обрабатывать большие объёмы данных, сокращая время выполнения сложных вычислений и операций анализа. Память оснащена буферизованной регистровой архитектурой RDIMM и технологией коррекции ошибок ECC, что повышает стабильность и целостность данных в многоканальных конфигурациях. Низкое рабочее напряжение 1.1 В делает модуль энергоэффективным, снижая тепловыделение и нагрузку на систему охлаждения.

Высокая производительность и скорость

Модуль памяти стандарта DDR5 функционирует на тактовой частоте 5600 МГц, что в сочетании с эффективной архитектурой позволяет достичь впечатляющей пропускной способности до 44800 Мб/с. Это обеспечивает молниеносный отклик системы и существенно ускоряет обработку больших объемов данных, сокращая время выполнения сложных вычислений и операций анализа.

Надежность и стабильность работы

Ключевым преимуществом данной модели является использование буферизованной регистровой архитектуры RDIMM с коррекцией ошибок. Это решение значительно повышает стабильность и целостность данных в многоканальных конфигурациях и при работе с большим объемом установленной памяти. Технология ECC автоматически обнаруживает и исправляет одноразрядные ошибки, предотвращая сбои приложений и утечку данных, что критически важно для серверов, функционирующих в режиме 24/7.

Энергоэффективность и совместимость

Модуль отличается повышенной энергоэффективностью благодаря пониженному напряжению питания всего 1,1 В. Память выполнена в стандартном форм-факторе 288-контактного RDIMM и обладает двухранговой организацией, что обеспечивает его широкую совместимость с современными серверными платформами.